Statistical model for diffusion-mediated recovery of dislocation and point-defect microstructure

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

the innovation of a statistical model to estimate dependable rainfall (dr) and develop it for determination and classification of drought and wet years of iran

آب حاصل از بارش منبع تأمین نیازهای بی شمار جانداران به ویژه انسان است و هرگونه کاهش در کم و کیف آن مستقیماً حیات موجودات زنده را تحت تأثیر منفی قرار می دهد. نوسان سال به سال بارش از ویژگی های اساسی و بسیار مهم بارش های سالانه ایران محسوب می شود که آثار زیان بار آن در تمام عرصه های اقتصادی، اجتماعی و حتی سیاسی- امنیتی به نحوی منعکس می شود. چون میزان آب ناشی از بارش یکی از مولفه های اصلی برنامه ...

15 صفحه اول

Dislocation mechanism of interface point defect migration

Article is made available in accordance with the publisher's policy and may be subject to US copyright law. Please refer to the publisher's site for terms of use. The MIT Faculty has made this article openly available. Please share how this access benefits you. Your story matters.

متن کامل

Parameters for point-defect diffusion and recombination

Point-defect kinetics are important for understanding and modeling dopant diffusion in silicon. This paper describes models for point-defect transport and recombination used in SUPREM-IV, and does extensive fitting for the model parameters. The experimental data used are from experiments on oxidation-enhanced diffusion (OED). Interstitial traps are shown to be critical for consistent agreement ...

متن کامل

POINT DEFECT - DISLOCATION INTERACTION IN MgO

Amsl i tude Dependent Internal Friction has been measured from 77 K to 593 K in FlgO single crystals p las t ica l ly deformed a t room tenperature . Experiiioental resul ts have been tested w i t h several theoretical nodels of dislocation breakaway. A re1 iable value of interaction energy (0.5 eV) i s deduced fro111 the aodel of Teutonico, Granato and LGcke, b u t only a part ial agreement be...

متن کامل

Solutions of diffusion equation for point defects

An analytical solution of the equation describing diffusion of intrinsic point defects in semiconductor crystals has been obtained for a one-dimensional finite-length domain with the Robin-type boundary conditions. The distributions of point defects for different migration lengths of defects have been calculated. The exact analytical solution was used to verify the approximate numerical solutio...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Physical Review E

سال: 2018

ISSN: 2470-0045,2470-0053

DOI: 10.1103/physreve.98.043002